技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | MSA1162GT1 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SO/DIP |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SC-59-3 |
| 晶體管極性： | PNP |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 50 V |
| 集電極—基極電壓 VCBO： | 60 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 7 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 0.5 V |
| 直流電集電極電流： | 0.1 A |
| Pd-功率耗散： | 200 mW |
| 增益帶寬產品fT： | 80 MHz |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 1.09 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 技術： | Si |
| 寬度： | 1.5 mm |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 集電極連續電流： | 0.1 uA |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 200 |
| 產品類型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | Transistors |
| 單位重量： | 8 mg |
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