技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | BUV21G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SO/DIP |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-204-2 |
| 晶體管極性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 200 V |
| 集電極—基極電壓 VCBO： | 250 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 7 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.5 V |
| 直流電集電極電流： | 40 A |
| Pd-功率耗散： | 250 W |
| 增益帶寬產品fT： | 8 MHz |
| 最小工作溫度： | - 65 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | BUV21 |
| 封裝： | Tray |
| 高度： | 8.51 mm |
| 長度： | 38.86 mm |
| 技術： | Si |
| 寬度： | 26.67 mm |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 集電極連續電流： | 40 A |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 20 |
| 產品類型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工廠包裝數量： | 100 |
| 子類別： | Transistors |
| 單位重量： | 13.762 g |
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