技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SIR840DP-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | QFN-8 |
| 數量： | 1255 |
| QQ： | |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® SO-8 |
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技術參數品牌：VISHAY型號：SIR840DP-T1-GE3批號：18+封裝：QFN-8數量：1255QQ：類別：分立半導體產品晶體管-FET
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SIR840DP-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | QFN-8 |
| 數量： | 1255 |
| QQ： | |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® SO-8 |
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