產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI3460DV-T1-E3批號：18+封裝：TSOP-6數量：3755QQ：制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：5.1A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI3460DV-T1-E3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | TSOP-6 |
| 數量： | 3755 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 5.1A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 27 毫歐 @ 5.1A，4.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 450mV @ 1mA（最小） |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 功率耗散（值）： | 1.1W（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 6-TSOP |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 20nC @ 4.5V |
| 基本產品編號： | SI3460 |
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