技術參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7115DN-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | PowerPA |
| 數(shù)量： | 5028 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 8.9A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 295 毫歐 @ 4A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作溫度： | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | PowerPAK® 1212-8 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 150 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 42 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1190 pF @ 50 V |
| 基本產(chǎn)品編號： | SI7115 |
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