產品簡介
技術參數品牌：Infineon/英飛凌型號：BSZ100N03MSG批號：19+封裝：NA數量：2000QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSDSON-8通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：40ARdsOn-漏源導通電阻：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Infineon/英飛凌 |
| 型號： | BSZ100N03MS G |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSDSON-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 40 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 7.3 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 23 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 30 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.1 mm |
| 長度： | 3.3 mm |
| 系列： | OptiMOS 3M |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 3.3 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 26 S |
| 下降時間： | 2.4 ns |
| 上升時間： | 2.8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 16 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3.8 ns |
| 零件號別名： | BSZ100N03MSGATMA1 SP000311510 BSZ1N3MSGXT BSZ100N03MSGATMA1 |
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