技術參數(shù)
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMN65D8L-7 |
| 封裝： | DIODES |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 120000 |
| 類別： | 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60 V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 310mA（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 3 歐姆 @ 115mA，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | nC @ 10 V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 22 pF @ 25 V |
| 功率耗散（值）： | 370mW（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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