產品簡介
技術參數品牌：ON型號：FQP6N90C封裝：ON批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：900VId-連續漏極電流：6ARdsOn-漏源導通電阻：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | FQP6N90C |
| 封裝： | ON |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 900 V |
| Id-連續漏極電流： | 6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | FQP6N90C |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 正向跨導 - 最小值： | S |
| 下降時間： | 60 ns |
| 上升時間： | 90 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 55 ns |
| 典型接通延遲時間： | 35 ns |
| 零件號別名： | FQP6N90C_NL |
| 單位重量： | g |
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