GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學晶體
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
主要特性
| 復合物 | GaSe | |
| 透光率, µm | 0.62 – 20 | |
| 非線性系數, pm/V | d22 = 54 @10.6 µm | |
| 對稱度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
| 晶胞參數, Å | a=3.74, c=15.89 | |
| 典型反射系數 | 10.6 µm | no=2.6975, ne=2.3745 |
| 光學損傷閾值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
| 離散角, ° | 5.3 µm | 4.1 |
應用
-
10.6 µm激光輻射二次諧波的產生
-
中紅外區域高達17µm的光學參量振蕩器、光學參量放大器、DFG等
對于所有晶體，我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層，以及反射率曲線。
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
主要特性
| 復合物 | GaSe | |
| 透光率, µm | 0.62 – 20 | |
| 非線性系數, pm/V | d22 = 54 @10.6 µm | |
| 對稱度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
| 晶胞參數, Å | a=3.74, c=15.89 | |
| 典型反射系數 | 10.6 µm | no=2.6975, ne=2.3745 |
| 光學損傷閾值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
| 離散角, ° | 5.3 µm | 4.1 |
應用
-
10.6 µm激光輻射二次諧波的產生
-
中紅外區域高達17µm的光學參量振蕩器、光學參量放大器、DFG等
對于所有晶體，我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層，以及反射率曲線。
更新時間：2023/5/24 17:35:35
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