筱曉光子 780-HP 摻鍺(Ge)單模光纖 780-970nm 4.4/125um
780-HP高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優化設計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導體激光器尾纖以及近紅外連續譜傳輸等特定的需要等。 該光纖在一致性，纖芯/包層同心度等指標上具有更加的性能和比業界標準更為嚴格的指標，還在二階模式截止波長方面具有更為嚴格的誤差范圍，和目其它的相應的單模光纖相比，780-HP光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性，嚴格的技術指標性能保證能夠幫助器件生產商提高產品的良率，節約成本。
主要特性:
非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
其嚴格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復生產能力，一致性出色。
更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應用中有更好的可靠性。
應用域:
激光二管尾纖
光纖耦合器
近紅外光譜傳輸
| 參數 | 單位 | 指標 |
| 型號 | 780-HP | |
| 工作波長（一般情況下） | nm | 780-970 |
| MFD @ 850nm（1/e2 fit-近場） | um | 5.0±0.5 |
| 二階模式截止波長 | nm | 730±30 |
| 衰減 @ 780nm (一般情況下) | dB/km | 4 |
| 衰減 @ 850nm | dB/km | < 3.5 |
| 數值孔徑 （NA） | 0.13 | |
| 彎曲損耗 (780nm, 100圈,13mm半徑) | dB | 0.001 |
| 彎曲半徑（@780nm,每100turns損耗0.05dB）普通情況下 | Less than LTBR | |
| 包層直徑 | um | 125±1.5 |
| 涂覆層直徑 | um | 245±15 |
| 纖芯/包層同心度偏差 | um | ≤0.5 |
| 包層/涂覆層偏差 | um | ≤5 |
| 強度測試水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
| 涂覆層材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
| 工作溫度 | ℃ | -55 ~ +85 |
| 短期彎曲半徑 | mm | ≥6 |
| 長期彎曲半徑 | mm | ≥13 |
光纖結構圖：
780-HP高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優化設計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導體激光器尾纖以及近紅外連續譜傳輸等特定的需要等。 該光纖在一致性，纖芯/包層同心度等指標上具有更加的性能和比業界標準更為嚴格的指標，還在二階模式截止波長方面具有更為嚴格的誤差范圍，和目其它的相應的單模光纖相比，780-HP光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性，嚴格的技術指標性能保證能夠幫助器件生產商提高產品的良率，節約成本。
主要特性:
非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
其嚴格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復生產能力，一致性出色。
更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應用中有更好的可靠性。
應用域:
激光二管尾纖
光纖耦合器
近紅外光譜傳輸
| 參數 | 單位 | 指標 |
| 型號 | 780-HP | |
| 工作波長（一般情況下） | nm | 780-970 |
| MFD @ 850nm（1/e2 fit-近場） | um | 5.0±0.5 |
| 二階模式截止波長 | nm | 730±30 |
| 衰減 @ 780nm (一般情況下) | dB/km | 4 |
| 衰減 @ 850nm | dB/km | < 3.5 |
| 數值孔徑 （NA） | 0.13 | |
| 彎曲損耗 (780nm, 100圈,13mm半徑) | dB | 0.001 |
| 彎曲半徑（@780nm,每100turns損耗0.05dB）普通情況下 | Less than LTBR | |
| 包層直徑 | um | 125±1.5 |
| 涂覆層直徑 | um | 245±15 |
| 纖芯/包層同心度偏差 | um | ≤0.5 |
| 包層/涂覆層偏差 | um | ≤5 |
| 強度測試水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
| 涂覆層材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
| 工作溫度 | ℃ | -55 ~ +85 |
| 短期彎曲半徑 | mm | ≥6 |
| 長期彎曲半徑 | mm | ≥13 |
光纖結構圖：
更新時間：2023/5/24 17:35:26
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